レーザーアブレーション法によるCuInSe_2/CdSダイオードの作製
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概要
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現在、薄膜化が可能で高い光電変換効率が期待される太陽電池材料としてI-III-VI族化合物半導体が注目されている。本研究では新しい薄膜堆積法であるレーザーアブレーション法を太陽電池の作製プロセスに適用することを目的として、光吸収層CuInSe_2および窓層CdSの堆積条件の検討を行った。CdS薄膜は堆積時の基板温度を200℃以上とすることで、高い光透過率をもち良好な結晶性の薄膜を得ることができた。また、レーザーアブレーション法により作製したCuInSe_2薄膜の組成と電気特性の関係について調べた結果、太陽電池を作製するために最適な組成は化学両論比からややIn過剰組成であることがわかった。さらにこれらを用いてCuInSe_2/CdSヘテロ接合ダイオードを試作した結果、電流-電圧特性は整流性を示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-05-21
著者
-
吉田 明
豊橋技術科学大学工学部
-
吉田 明
豊橋技科大
-
吉田 明
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
-
蔵之内 真一
豊橋技術科学大学
-
棚橋 信貴
豊橋技術科学大学 工学部
-
廣江 吉倫
豊橋技術科学大学
-
棚橋 信貴
豊橋技術科学大学
-
吉田 明
豊橋技術科学大学
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