真空紫外光励起による半導体表面光化学反応の基礎研究

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概要

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近年の半導体プロセスの微細化、高集積化に伴い、光化学気相成長法(光CVD法)が急速に注目されている。真空紫外光は高いフォトンエネルギーを有するため、光CVD法において広く利用されている。しかしながら、照射の初期段階において、真空紫外光が基板そのものに及ぼす影響を報告したものはほとんど見あたらない。本研究では、光源としてアンジュレータ放射光、ArFエキシマレーザ、基板に層状半導体である二硫化モリブデンを使用し、両光源が基板に及ぼす影響を走査型トンネル顕微鏡(STM)により観察した。その結果、真空紫外光照射により基板表面に変化が生じ、その変化はフォトンエネルギーにより異なる現象が観察された。
1998-05-22

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