CuInSe_2薄膜の電子線照射効果の検討
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概要
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CuInSe_2薄膜の電気特性に対する2MeVと3MeV電子線照射効果を調べた。CIS薄膜はGaAs基板上に高周波スパッタ法でエピタキシャル成長させた。電子線照射量が1×10^<17>cm^<-2>を越えるとCIS薄膜のキャリア密度と移動度が減少していった。電子線照射によるCIS薄膜のキャリア消滅速度は1cm^<-1>であった。この消滅速度は他の材料を用いた太陽電池より小さい値となった。今回の実験では電子線のエネルギの大きさによるキャリア消滅速度の変化は見られなかった。CIS薄膜のキャリア密度の温度依存性から、電子線照射による欠陥の特性を評価した。また、欠陥の電子線照射量の依存性も検討した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-05-17
著者
-
吉田 明
豊橋技術科学大学工学部
-
吉田 明
豊橋技科大
-
岡田 浩
豊橋技術科学大学
-
若原 昭浩
豊橋技術科学大学
-
吉田 明
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
-
吉田 明
神奈川県立がんセンター乳腺甲状腺外科:甲状腺未分化癌コンソーシアム
-
藤田 尚樹
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
-
李 海錫
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
-
若原 昭浩
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学
-
李 海錫
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
藤田 尚樹
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
海江田 理
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
吉田 明
豊橋技術科学大学
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