レーザーアブレーション法によるZnO薄膜の作製
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概要
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レーザーアブレーション法により、AlドープのZnO透明導電膜を作製した。その結果、基板温度200[℃]以上においてc軸配向のZnO多結晶薄膜が得られた。また、表面モルフォロジーと薄膜の配向性に相関が見られた。基板温度室温で作製したZnO薄膜においても抵抗率8×10^<-4> [Ωcm]のものが得られ、基板温度300[℃]において1.3×10^<-4> [Ωcm]のものが得られた。基板温度の上昇、レーザーパワーの減少に伴い透過率が高くなった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-05-20
著者
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吉田 明
豊橋技術科学大学工学部
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吉田 明
豊橋技科大
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若原 昭浩
豊橋技術科学大学
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吉田 明
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
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若原 昭浩
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学
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廣江 吉倫
豊橋技術科学大学
-
吉田 明
豊橋技術科学大学
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