AlInN混晶の成長と光学特性の評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
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概要
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AlInNの成長特性、光学特性を調べるため、AlNエピタキシャルテンプレート上にIn気相比を20〜40%と変化させてAlInNを成長した.薄膜の成長には有機金属気相成長法(Metalorganic vapor phase epitaxy : MOVPE)を用いた.成長した試料はX線回折(X-ray diffraction : XRD)、反射高速電子線回折(Reflection high-energy electron diffraction : RHEED)、透過率(Transmittance)、反射率(Reflectance)、カソードルミネッセンス(Cathodoluminescence : CL)で評価した.全ての試料でRHEEDパターンはスポットパターンとなり、AIlnNの単結晶成長が確認された.しかし、XRDプロファイルより半値幅が広く、またピークが複数に分裂していることから、組成不均一、相分離の影響が大きいことが分かった.透過率、反射率より吸収係数を算出した結果、吸収端は組成の不均一を反映して大きなすそ状態をもつことから、GaNに格子整合するIn組成17%のAlInNは3.8[ev]程度のバンドギャップを持つことが分かった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-05-08
著者
-
吉田 明
豊橋技術科学大学工学部
-
田中 光浩
日本ガイシ株式会社研究開発本部
-
吉田 明
豊橋技科大
-
岡田 浩
豊橋技術科学大学
-
若原 昭浩
豊橋技術科学大学
-
若原 昭浩
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
吉田 明
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
-
吉田 明
神奈川県立がんセンター乳腺甲状腺外科:甲状腺未分化癌コンソーシアム
-
今井 恒
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
-
柴田 智彦
日本ガイシ
-
藤盛 敬雄
豊橋技術科学大学
-
若原 昭浩
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学
-
田中 光浩
日本ガイシ
-
今井 恒
豊橋技術科学大学
-
柴田 智彦
日本ガイシ株式会社
-
吉田 明
豊橋技術科学大学
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