モノメチルシランを用いたAlGaNの伝導性制御に関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

概要

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Si不純物原料としてモノメチルシラン(MMSi):(CH_3) SiH_3を用いて、AlGaNの伝導制御性について調べ、そのドーピング特性と、Siドナー活性化エネルギーのAlNモル分率依存性を調べた AlGaN薄膜の成長には減圧フローチャネル式有機金属気相成長法(MOVPE:Metalorganic Vapor Phase Epitaxy)を用いた。(0004)面、(11-20)面の各X線解析(XRD)プロファイルより、弾性歪みを考慮して求めたAlGaNのAl組成Xは0.24、0.40、0.60となった。さらに各Al組成のAlGaNの(0004)面X線ロッキングカーブ(XRC)半値全幅は150〜400arcsecと高品質のAlGaNエピタキシャル薄膜が得られた。Van der Pauw法によるホール効果測定からキャリア濃度を測定した結果、各Al組成のAlGaNはMMSiの流量増加に比例してキャリア濃度が増加することからn型伝導制御が可能であると言え,高Al組成Al_xGa_<1_x>N (X=0.60)においても伝導制御が可能であった。キャリア濃度の300〜100Kまでの温度特性からSi活性化エネルギーを求めた結果、 X=0.24、0.40、0.60のAl_xGa_<1-x>Nでは,それぞれ14meV、16meV,21meVであった。
社団法人電子情報通信学会の論文
2004-05-06