AlInN混晶の成長と光学特性の評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))

概要

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AlInNの成長特性、光学特性を調べるため、AlNエピタキシャルテンプレート上にIn気相比を20〜40%と変化させてAlInNを成長した.薄膜の成長には有機金属気相成長法(Metalorganic vapor phase epitaxy:MOVPE)を用いた.成長した試料はX線回折(X-ray diffraction:XRD)、反射高速電子線回折(Reflection high-energy electron diffraction:RHEED)、透過率(Transmittance)、反射率(Reflectance)、カソードルミネッセンス(Cathodoluminescence:CL)で評価した.全ての試料でRHEEDパターンはスポットパターンとなり、AlInNの単結晶成長が確認された.しかし、XRDプロファイルより半値幅が広く、またピークが複数に分裂していることから、組成不均一、相分離の影響が大きいことが分かった.透過率、反射率より吸収係数を算出した結果、吸収端は組成の不均一を反映して大きなすそ状態をもつことから、GaNに格子整合するIn組成17%のAlInNは3.8[eV]程度のバンドギャップを持つことが分かった.
2003-05-08