A1_2O_3(11-20)基板上へのInNへテロエピタキシャル成長

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概要

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InN結晶の高品質化を目指し、新しく A1_2O_3(11-20)を基板として用いて、マイクロ波励起リモート有機金属気相エピタキシャル成長法にてInNの成長を行った。また、低温成長バッファ層を導入し成長層の結晶及び電気的特性の検討を行った。その結果、窒化処理を行った成長層のロッキングカーブ測定における半値幅は、約110arcsecとなり(0001)面上に成長したものより小さく、結晶性が改善されていることが分かった。基板と成長層のエピタキシャル方位関係は、InN(0001)//A1_2O_3(11-20), InN[10-10]//A1_2O_3(0001)であった。また低温成長バッファ層を導入した場合には、さらにロッキングカーブの半値幅が狭くなった。
1998-05-22

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