InN薄膜成長と特性評価 : 招待講演
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概要
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We have been successful in growing InN films on α-Al_2O_3, MgAl_2O_4, GaAs and GaP substrates by using microwave-excited MOVPE. Just before the growth, the surface was nitrided. Several film properties were characterized.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2000-07-01
著者
-
吉田 明
豊橋技術科学大学工学部
-
吉田 明
豊橋技科大
-
吉田 明
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
-
吉田 明
神奈川県立がんセンター乳腺甲状腺外科:甲状腺未分化癌コンソーシアム
-
吉田 明
豊橋技術科学大学
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