吉田 明 | 豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

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概要

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• 豊橋技術科学大学 電気・電子工学系の論文著者

関連著者

• 吉田 明

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 吉田 明

  豊橋技術科学大学

• 吉田 明

  豊橋技術科学大学工学部

• 吉田 明

  豊橋技科大

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学

• 吉田 明

  神奈川県立がんセンター乳腺甲状腺外科:甲状腺未分化癌コンソーシアム

• 岡田 浩

  豊橋技術科学大学

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 大島 武

  日本原子力研究開発機構

• 大島 武

  原子力研究開発機構

• 伊藤 久義

  日本原子力研究所高崎研究所

• 伊藤 久義

  日本原子力研究所 高崎研究所 材料開発部

• 伊藤 久義

  原研

• 大島 武

  原研

• 大島 武

  (独)日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門

• 藤田 尚樹

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 李 海錫

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 李 海錫

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 廣江 吉倫

  豊橋技術科学大学

• 藤田 尚樹

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 伊藤 久義

  原子力機構

• 中西 康夫

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 中西 康夫

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 田中 徹

  豊橋技術科学大学 工学部

• 田中 徹

  (株)富士通研究所シリコンテクノロジ研究所

• 山口 利幸

  和歌山高専

• 山口 利幸

  和歌山工業高等専門学校電気工学科

• 嶋田 香志

  豊橋技術科学大学

• 斎木 久雄

  (株)三陽電機製作所

• 内海 一肇

  豊橋技術科学大学

• 山口 利幸

  和歌山工業高等専門学校

• 大西 正人

  豊橋技術科学大学

• 細川 修

  豊橋技術科学大学

• ガンジュ アシュトシュ

  豊橋技術科学大学

• 今井 恒

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 今井 恒

  豊橋技術科学大学

• 棚橋 信貴

  豊橋技術科学大学 工学部

• アシュトシュ ガンジュ

  豊橋技術科学大学

• 棚橋 信貴

  豊橋技術科学大学

• 石田 誠

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 石田 誠

  豊橋技術科学大学

• 滝川 浩史

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 井上 勉

  豊橋技術科学大学

• 岡田 漱平

  日本原子力研究所・高崎

• 岡田 漱平

  日本原子力研究所

• 早川 崇則

  豊橋技術科学大学

• 吉越 章隆

  豊橋技術科学大学

• 伊藤 真也

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 重久 慶

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 三崎 貴生

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 津間 博基

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 小林 貴行

  豊橋技術科学大学

• 藤村 洋平

  豊橋技術科学大学

• 夏目 諭

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 滝川 浩史

  豊橋技術科学大学

• 蔵之内 真一

  豊橋技術科学大学

• 内田 実

  豊橋技術科学大学電気電子工学系

• 山本 鉄隆

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 藤村 洋平

  双葉電子工業

• Wu Xiaoping

  豊橋技術科学大学

• 北村 泰弘

  豊橋技術科学大学工学部

• 玄番 潤

  豊橋技術科学大学

• 山本 鉄隆

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 松本 鋭介

  豊橋技術科学大学電気電子工学系

• 伊藤 真也

  豊橋技術科学大学 機械工学系

• ベイ インホ

  韓国嶺南大学校

• 土屋 健司

  豊橋技術科学大学

• 海江田 理

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 内田 美

  豊橋技術科学大学電気電子工学系

• 川村 延伸

  豊橋技術科学大学電気電子工学系

• 大石 浩司

  豊橋技術科学大学電気電子工学系

• ナッタウット ブッタラート

  豊橋技術科学大学

• 夏目 諭

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 田中 光浩

  日本ガイシ株式会社研究開発本部

• 佐々木 伸一

  佐賀大学理工学部

• 佐藤 賢次

  日鉱マテリアルズ(株)

• 三木 修

  豊橋技術科学大学

• 前田 幸治

  豊橋技術科学大学

• 鈴木 篤

  豊橋技術科学大学電気電子工学部

• 柴田 智彦

  日本ガイシ

• 藤盛 敬雄

  豊橋技術科学大学

• 李 禹鎮

  豊橋技術科学大学電気電子工学部

• 本川 和之

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 中村 正志

  日鉱マテリアルズ 戸田工場

• 佐々木 伸一

  日鉱マテリアルズ 戸田工場

• 清水 英一

  日鉱マテリアルズ 戸田工場

• 朝日 聰明

  日鉱マテリアルズ 戸田工場

• 田中 亮太

  豊橋技術科学大学

• 山本 幸男

  福井工業高等専門学校

• 安田 匡一郎

  名古屋工業技術研究所

• 田中 光浩

  日本ガイシ

• 出水 康崇

  豊橋技術科学大学 工学部

• 柴田 智彦

  日本ガイシ株式会社

• 斎木 久雄

  三陽電機製作所

• 山野 博文

  豊橋技術科学大学

• 本川 和之

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 松田 祐二

  豊橋技術科学大学

• 増田 晴穂

  名古屋工業技術研究所

• 佐藤 賢次

  (株)日鉱マテリアルズ戸田工場

• 朝日 聰明

  (株)日鉱マテリアルズ戸田工場

• 西田 輝明

  豊橋技術科学大学

• ブッタラート ナッタウット

  豊橋技術科学大学

• アラン ビール

  豊橋技術科学大学

• 山本 幸男

  福井工業高等専門学校 電気工学科

• 武田 道彦

  名古屋工業技術試験所

• 野中 聡

  旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座

• 野中 薫雄

  琉球大学医学部器官病態医科学講座皮膚科

• 郭其 新

  佐賀大学理工学部

• 郭 其新

  佐賀大学理工学部電気電子工学科

• 小川 博司

  佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター

• 小川 博司

  佐賀大学理工学部

• 池尻 誠

  ニシム電子工業

• 西尾 光弘

  分子科学研究所

• 緒方 敏洋

  佐賀大学理工学部

• 池尻 誠

  佐賀大学理工学部

• ギャスソーヨドイルファン ギャスソーヨドイルファン

  佐賀大学理工学部

• 朴 康司

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 朴 康司

  豊橋技術科学大学第3工学系

• 米津 宏雄

  豊橋技術科学大学 工学研究科

• 藤盛 敏雄

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 米津 宏雄

  Department Of Electrical And Electronic Information Engineering Toyohashi University Of Technology

• 緒方 敏洋

  佐賀大学理工

• 有田 誠

  豊橋技術科学大学電気電子工学系

• 土谷 徹

  豊橋技術科学大学

• 村主 一仁

  豊橋技術科学大学

• 増田 晴穂

  National Industrial Research Institute of Nagoya

• 岡部 秀幸

  豊橋技術科学大学工学部

• 池田 真司

  豊橋技術科学大学工学部

• 並木 章

  豊橋技術科学大学

• 遠藤 英樹

  豊橋技術科学大学

• ベ インホ

  韓国嶺南大学校理科大学

• 伊藤 進夫

  大阪府立大学工学部電子物理工学科

• シン アルン

  豊橋技術科学大学

• ビール シン

  豊橋技術科学大学

• ガンジュ アシュトシュ

  岐阜大学工学部

• 鈴木 正義

  和歌山工業高等専門学校

• 山村 俊己

  豊橋技術科学大学

• 加藤 治

  豊橋技術科学大学

• 伊藤 進夫

  大阪府立大学

• 小川 博司

  佐賀大学 理工学部

• 小川 博司

  佐賀大

• 中ノ瀬 宏一

  佐賀大学

• 鈴木 正義

  和歌山工高専

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著作論文

• 27pC5 有機金属を原料としたシンクロトロン放射光照射によるZnTeのエピタキシャル成長(気相成長III)
• 真空紫外光励起CVDによるZn,ZnOの薄膜の作製と評価
• 真空紫外光励起による半導体表面光化学反応の基礎研究
• 真空紫外光による金属吸着及び薄膜成長初期過程に関する研究
• ZnGeN_2エピタキシャル薄膜の光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• モノメチルシランを用いたAlGaNの伝導性制御に関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• カーボンナノチューブの基板面内方向における位置制御形成の検討(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• CuInSe_2薄膜の放射線照射損傷とアニール効果の検討(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• カーボンナノチューブの基板面内方向における位置制御形成の検討(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• CuInSe_2薄膜の放射線照射損傷とアニール効果の検討(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• AlInN混晶の成長と光学特性の評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• ナノ粒子ZnOを用いた色素増感太陽電池の作製と評価
• GaNに添加したEu発光の耐放射線性と耐放射環境用発光デバイス応用の可能性
• HVPE法によるNGO基板上のGaN厚膜基板の成長 : 半導体レーザ用GaN基板の開発(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• HVPE法によるNGO基板上のGaN厚膜基板の成長 : 半導体レーザ用GaN基板の開発(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
• ZnGeN_2エピタキシャル薄膜の光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• ZnGeN_2エピタキシャル薄膜の光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• GaNに添加したEu発光の耐放射線性と耐放射環境用発光デバイス応用の可能性
• 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
• 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
• 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
• Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
• Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
• Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
• Euをイオン注入したGaNの発光特性
• Euをイオン注入したGaNの発光特性
• Euをイオン注入したGaNの発光特性
• CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
• CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
• CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
• アルカリ金属添加CuIuSe_2薄膜の構造と光学的特性
• アルカリ金属添加CuInSe_2薄膜の構造と光学的特性
• アルカリ金属添加CuInSe_2薄膜の構造と光学的特性
• レーザーアブレーション法によるカルコパイライト薄膜の作製
• AlInN混晶の成長と光学特性の評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• レーザーアブレーション法によるCuInSe_2CdSダイオードの作製
• レーザーアブレーション法によるCuInSe_2/CdSダイオードの作製
• レーザーアブレーション法によるCuInSe_2/CdSダイオードの作製
• マイクロ波励起リモートプラズマによる窒化インジウムエピタキシャル成長
• 窒化基板上へのInNエピタキシャル成長
• A1_2O_3(11-20)基板上へのInNへテロエピタキシャル成長
• 真空紫外光励起による半導体表面光化学反応の基礎研究
• Al_2O_3(11-20)基板上へのInNヘテロエピタキシャル成長
• 真空紫外光励起による半導体表面光化学反応の基礎研究
• Al_2O_3(11-20)基板上へのInNヘテロエピタキシャル成長
• 窒化物半導体における欠陥準位密度の理論的解析
• II-VI族化合物半導体結晶成長の光励起過程に関する理論解析
• マイクロ波プラズマMOVPE法によるナイトライド系化合物半導体の作製と評価
• モノメチルシランを用いたAlGaNの伝導性制御に関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• モノメチルシランを用いたAlGaNの伝導性制御に関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• カーボンナノチューブの基板面内方向における位置制御形成の検討(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• CuInSe_2薄膜の放射線照射損傷とアニール効果の検討(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• ナノ粒子ZnOを用いた色素増感太陽電池の作製と評価
• (5)半導体集積回路の社会人教育(第2セッション 社会人技術者のリフレッシュ教育(II))
• シンクロトロン放射光を用いたテフロン薄膜の作製と評価
• シンクロトロン放射光を用いたテフロン薄膜の作製と評価
• 分子軌道法を用いたa-Si:Hにおける光誘起構造変化の検討
• リモートプラズマプロセスによるSi低温エピタキシャル成長
• リモートプラズマプロセスによるSi低温エピタキシャル成長
• リモートプラズマプロセスによるSi低温エピタキシャル成長
• リモートプラズマCVDによる低温Siエピタキシャル成長
• リモートプラズマCVDによるSi薄膜の低温成長
• シンクロトロン放射光を用いたテフロン薄膜の作製と評価
• エピタキシャルAl_2O_3を中間層に用いたSi基板上へのGaN有機金属気相エピタキシャル成長
• CuInSe_2薄膜の電子線照射効果の検討
• エピタキシャルAl_2O_3を中間層に用いたSi基板上へのGaN有機金属気相エピタキシャル成長
• CuInSe_2薄膜の電子線照射効果の検討
• エピタキシャルAl_2O_3を中間層に用いたSi基板上へのGaN有機金属気相エピタキシャル成長
• CuInSe_2薄膜の電子線照射効果の検討
• 格子歪をうけたβ-FeSi_2のバンド構造の理論的検討
• ZnO薄膜の伝導型制御
• 格子歪をうけたβ-FeSi_2のバンド構造の理論的検討
• ZnO薄膜の伝導型制御
• ZnO薄膜の伝導型制御
• レーザーアブレーション法によるZnO薄膜の作製
• レーザーアブレーション法によるZnO薄膜の作製
• レーザーアブレーション法によるZnO薄膜の作製
• リモートプラスマCVDによる低温Siエピタキシャル成長
• Si基板上へのCuIn_xGa_Se_2薄膜の作製
• ブタンガスによるa-C : H膜の作成
• InN薄膜成長と特性評価 : 招待講演
• RFスパッタによるZnSe 薄膜の作成
• 格子歪をうけたβ-FeSi_2のバンド構造の理論的検討

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