増田 晴穂 | 名古屋工業技術研究所

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概要

• 同名の論文著者
• 名古屋工業技術研究所の論文著者

関連著者

• 増田 晴穂

  名古屋工業技術研究所

• 安田 匡一郎

  名古屋工業技術研究所

• 武田 道彦

  名古屋工業技術試験所

• 増田 晴穂

  National Industrial Research Institute of Nagoya

• 藤本 博

  Daido Institute Of Technology

• 藤本 博

  大同工業大学応用電子工学科

• 藤本 博

  大同工業大学

• 和田 隆夫

  大同工業大学応用電子工学科

• 和田 隆夫

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 和田 隆夫

  名古屋工業大学電気情報学科

• 山田 芳靖

  (株)デンソー 基礎研究所

• 吉田 明

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 種村 誠太

  名古屋工業技術研究所

• 祖父江 進

  デンソー(株)

• 山田 芳靖

  デンソー株式会社

• 吉田 明

  豊橋技術科学大学

• 増田 晴穂

  名古屋工業技術試験所

• 吉田 明

  豊橋技術科学大学工学部

• 金持 徹

  神戸大学工学部

• 楯 信彰

  大同工業大学大学院

• 野郎 正道

  大同工業大学大学院 学生

• 山田 芳靖

  デンソー(株)

• 野田 尚伸

  大同工業大学大学院学生

• 水澤 健一

  旧新ハイボルテージ株式会社

• 祖父江 進

  デンソー株式会社

• 于 志戦

  蘭州物理所

• 山田 寿一

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 上西 時司

  名古屋工業技術試験所

• 生田 史朗

  名古屋工業技術試験所

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著作論文

• 金属・半導体及び絶縁体の超拡散
• 電子ビームドーピング(超拡散)による自由原子の島成長
• 半導体成長層への超拡散による室温での不純物添加の新手法
• 電子ビームドーピング法によるSi基板表面近傍におけるGeSi合金の形成
• 電子ビームドーピングにおける表面拡散 (II) Si基板中のGa
• 高エネルギー電子ビームによる相互拡散
• 電子ビーム照射による不純物ドーピング
• ブタンガスによるa-C : H膜の作成
• RFスパッタによるZnSe 薄膜の作成
• On a Method for Measuring Pulsed X-ray with Low Intensity

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