半導体成長層への超拡散による室温での不純物添加の新手法
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概要
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熱処理前の電子線の非照射領域での室温における電子ビームドーピングプロセスについての研究を行った。第3層/第2層/第1層からなる3層構造において、不純物シート(弟2層)は2枚の半導体ウェーハではさんでサンドウィッチ状にした。そして第3層の表面を750kevと7Mev V の電子線で照射した。電子線の照射によってオーバーレア(第3層)中で、はじき出された格子間原子は、半導体ウェーハの表面での移動が見られた。約10^<-5>cm^2・sec^<-1>という大きな表面拡散係数で表面を移動するこれらの原子は、原子間力顕微鏡(atomic force microscope ; AFM)によって観測された。
- 大同工業大学の論文
著者
-
山田 芳靖
(株)デンソー 基礎研究所
-
藤本 博
Daido Institute Of Technology
-
藤本 博
大同工業大学応用電子工学科
-
藤本 博
大同工業大学
-
和田 隆夫
大同工業大学応用電子工学科
-
増田 晴穂
National Industrial Research Institute of Nagoya
-
増田 晴穂
名古屋工業技術研究所
-
野田 尚伸
大同工業大学大学院学生
-
山田 芳靖
デンソー株式会社
-
水澤 健一
旧新ハイボルテージ株式会社
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