電子ビ-ムド-ピング法によるSi基板表面近傍におけるGeSi合金の形成
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 電子ビームドーピングにおける不純物シートの効果
- 電子ビ-ムド-ピングにおける不純物シ-トの効果
- 半導体デバイスの超拡散技術による新しいプロセス
- キックアウト機構による半導体超拡散の同定
- 電子線照射によるはじき出し原子のモンテカルロシミュレーションと超拡散プロセス
- 超拡散技術のコンピュータ映像ダイナミックスによるアニメーションとそのモデル
- 電子ビームドーピングにおけるはじき出し原子
- 半導体の電子ビームドーピングにおける表面拡散
- 超拡散技術 : GaAsの無欠陥領域へのSi,Zn不純物原子の電子ビームドーピング キックアウト機構によるドーピング
- 超拡散技術によるSi中へのGeドーピング
- 三層構造におけるGaAsの電子ビームドーピングのメカニズムの研究
- 電子ビームドーピング(超拡散)による自由原子と表面欠陥の相互作用に関する研究
- 電子ビームドーピング(超拡散)による自由原子の島成長に関する考察
- 半導体超拡散(電子ビームドーピング)のコンピュータ映像の近似的モデル
- 半導体の未照射領域へのキックアウト機構による新しい電子ビームドーピング(超拡散)
- MOCVD法によって作製したZnCdS成長層へのリンの電子ビームドーピング
- 金属・半導体及び絶縁体の超拡散
- 電子ビームドーピング(超拡散)による自由原子の島成長
- 半導体成長層への超拡散による室温での不純物添加の新手法 : 2 メカニズム
- 半導体成長層への超拡散による室温での不純物添加の新手法
- 半導体成長層への超拡散による室温での不純物添加の新手法(2)メカニズム
- 電子ビームドーピング法によるSi基板表面近傍におけるGeSi合金の形成
- 電子ビ-ムド-ピング法によるSi基板表面近傍におけるGeSi合金の形成
- 半導体成長層への超拡散による室温での不純物添加の新手法(1)実験
- 金属・半導体及び絶縁体の超拡散
- 電子ビ-ムド-ピング(超拡散)による自由原子の島成長