三層構造におけるGaAsの電子ビームドーピングのメカニズムの研究

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概要

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• Electron Beam Doping (EBD) processes in the damageless region and at room temperature were investigated before annealing. In the three-layer system of layer 3 / layer 2 / layer 1, the impurity sheet (layer 2) was sandwiched by two semiconductor wafers. The upper side of layer 3 was irradiated with electron beam of 750 keV. Concentration profiles of the impurity atom in layer 3 was obtained using Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS). Impurity atoms were detected even in the layer 3 which was placed in the damageless region where any irradiated electron could not reach. In this paper, the doping impurity atoms into the damageless region by the kick-out mechanism is studied.

• 大同工業大学の論文

著者

• 藤本 博

  Daido Institute Of Technology

• 藤本 博

  大同工業大学応用電子工学科

• 藤本 博

  大同工業大学

• 和田 隆夫

  大同工業大学応用電子工学科

• 安井 文昭

  大同工業大学工学研究科

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