Si^+イオン注入によるGaAsの表面再結合特性の改善 : レーザ/マイクロ波非接触評価を中心として

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概要

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• Si^+イオン注入とアニールによって表面に濃度層が形成させたガリウムヒ素の表面再結合特性を、レーザ, マイクロ波非接触評価法を用いて評価した。ドーズ量依存性の実験からは、アニール後に形成される高濃度層のために、ドーズ量の増加と共に実効表面再結合速度が減少する結果が得られた。一方、加速エネルギー依存性の実験からは、加速エネルギーの増加と共に実効表面再結合速度が増加する結果が得られた。この実験結果は、High-Low接合界面での実効表面再結合速度の数値計算結果と一致した。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1994-05-20

著者

• 市村 正也

  名古屋工業大学機能工学専攻

• 宇佐美 晶

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 和田 隆夫

  大同工業大学応用電子工学科

• 吉田 英朗

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 宇佐美 晶

  名古屋工大

• 奥山 康生

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 市村 正也

  名古屋工業大学、機能工学専攻

• 市村 正也

  名古屋工業大学

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