電界印加μ-PCD法を用いたSOIウェハの界面再結合速度測定(<小特集>III族窒化物研究の最前線)

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概要

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反射マイクロ波光導電減衰法(μ-PCD法)は、非接触かつ高速、高感度な再結合寿命の測定法である。今回は、SOI(Silicon On Insulator)の界面の評価を行なうため、SOI-基板間に電圧を印加したμ-PCD法により界面再結合速度の測定を試みた。SOIと基板間に電圧を印加し、界面再結合を抑制したライフタイムと電圧を印加していないライフタイムを測定し、それら2つを比較することで、界面再結合速度が算出される。様々な貼り合わせSOIウエハにおいて界面再結合を見積もったところ、その値は試料により大きく異なり、同じ試料においても位置により値が異なることが分かった。また、約100〜2000cm/sと熱酸化されたSi/SiO_2界面としては比較的大きい値となった。
2002-05-17

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