SOIとバルクにおけるPとBの拡散プロファイルの比較検討(半導体Si及び関連電子材料評価)
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概要
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SOI基板中の拡散分布のモデル化を行なうために、バルクSiとSOIに対してBとPの高濃度領域(>n)の拡散実験を行ない、拡散分布を測定した。拡散条件はまずB、Pとも、バルクSiとSOIに対し窒素雰囲気中で900℃、1000℃でプリデポジション拡散を行なった。次に、Bは1000℃、30分、Pは900℃、20分のプリデポジションを行なった後、Bは1000℃で、Pは900℃で窒素雰囲気および酸素雰囲気中でドライブイン拡散を行なった。これらの実験からB、Pのいずれにおいても、プリデポジション拡散ではバルクに比べてSOI中での拡散に遅延が見られ、それは1000℃よりも、900℃の方がより顕著となった。窒素雰囲気中ドライブイン拡散では、バルクSiとSOI基板では拡散分布に差が見られなかったが、一方、酸素雰囲気中ドライブインではSOI基板での拡散に遅延が見られた。
- 1999-12-09
著者
-
市村 正也
名古屋工業大学機能工学専攻
-
浅井 寛
名古屋工業大学電気情報工学科
-
吉川 泰史
名古屋工業大学電気情報工学科
-
家木 靖
名古屋工業大学電気情報工学科
-
内田 秀雄
名古屋工業大学電気情報工学科
-
荒井 英輔
名古屋工業大学電気情報工学科
-
荒井 英輔
名古屋工業大学大学院工学研究科
-
浅井 寛
名古屋工業大学電気情報工学料
-
荒井 英輔
名古屋工業大学
-
市村 正也
名古屋工業大学、機能工学専攻
-
市村 正也
名古屋工業大学
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