パルス電圧を用いた電気化学堆積法によるSnS薄膜の作製とその評価(<小特集>III族窒化物研究の最前線)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• 低コストでの太陽電池用半導体薄膜の作製を目指して、安価で簡単な装置を用いる電気化学堆積法(electrochemical deposition;ECD法)を用いて硫化スズ(SnS)薄膜の作製と評価を行った。印加電圧にはパルス電圧を用い、試料を走査型電子顕微鏡、オージェ電子分光法、X線回折法を用いて評価した。基板への密着性、表面モホロジー、結晶性を考慮し、パルス電圧条件の最適化を図った。さらに、基板上にメサ構造を作製し、その電流電圧(I-V)特性の温度依存性より、半導体的特性を確認した。

• 2002-05-17

著者

• 市村 正也

  名古屋工業大学機能工学専攻

• 佐藤 直也

  名古屋工業大学

• 荒井 英輔

  名古屋工業大学大学院工学研究科

• 山崎 芳文

  富士ゼロックス株式会社

• 荒井 英輔

  名古屋工業大学

• 市村 正也

  名古屋工業大学、機能工学専攻

• 市村 正也

  名古屋工業大学

関連論文

• マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• SIMOXとUNIBOND構造に対するボロンの極浅拡散
• 最新鋭の半導体工場
• SOIとバルクにおけるPとBの拡散プロファイルの比較検討(半導体Si及び関連電子材料評価)
• 格子不整の大きなGaAs上In_xGa_1-x>As(0.2x≦1)の液相成長
• マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 光化学堆積法を用いたZnS薄膜の作製と評価(III族窒化物研究の最前線)
• パルス電圧を用いた電気化学堆積法によるSnS薄膜の作製とその評価(III族窒化物研究の最前線)
• 光化学堆積法を用いたZnS薄膜の作製と評価(III族窒化物研究の最前線)
• パルス電圧を用いた電気化学堆積法によるSnS薄膜の作製とその評価(III族窒化物研究の最前線)
• 光化学堆積法を用いたZnS薄膜の作製と評価(III族窒化物研究の最前線)
• パルス電圧を用いた電気化学堆積法によるSnS薄膜の作製とその評価(III族窒化物研究の最前線)
• SOI基板中での不純物分布測定と拡散シミュレーション
• SOI基板中での不純物分布測定と拡散シミュレーション
• SOI基板中での不純物分布測定と拡散シミュレーション
• SOI基板中での不純物分布測定と拡散シミュレーション
• 光化学堆積法による室温動作水素ガスセンサの作製と評価
• ICPエッチングを施したGaNのμ-PCD法による過剰キャリアライフタイム測定(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• ICPエッチングを施したGaNのμ-PCD法による過剰キャリアライフタイム測定(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• ICPエッチングを施したGaNのμ-PCD法による過剰キャリアライフタイム測定(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 電界印加μ-PCD法を用いたSOIウェハの界面再結合速度測定(III族窒化物研究の最前線)
• 電界印加μ-PCD法を用いたSOIウェハの界面再結合速度測定(III族窒化物研究の最前線)
• 電界印加μ-PCD法を用いたSOIウエハの界面再結合速度測定(III族窒化物研究の最前線)
• 4H-SiCエピ層に含まれる深い準位の光励起容量過渡応答(O-CTS)法を用いた評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 4H-SiCエピ層に含まれる深い準位の光励起容量過渡応答(O-CTS)法を用いた評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 4H-SiCエピ層に含まれる深い準位の光励起容量過渡応答(O-CTS)法を用いた評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 化学溶液処理を施したSiウェハ表面の電界印加μ-PCD法による表面状態の評価(半導体Si及び関連電子材料評価)
• SiCウェハの過剰キャリアライフタイム測定と構造欠陥分布との比較(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• SiCウェハの過剰キャリアライフタイム測定と構造欠陥分布との比較(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• SiCウェハの過剰キャリアライフタイム測定と構造欠陥分布との比較(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 貼り合わせSOIウェーハのボイド領域の結晶性評価
• 光化学堆積(PCD)法によるZnO薄膜の作製と評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 光化学堆積(PCD)法によるZnO薄膜の作製と評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 光化学堆積(PCD)法によるZnO薄膜の作製と評価
• 光化学堆積(PCD)法によるZnO薄膜の作製と評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• NMOSFETの短チャネル効果抑制を目的とした構造のシミュレーションによる評価
• NMOSFETの短チャネル効果抑制を目的とした構造のシミュレーションによる評価
• NMOSFETの短チャネル効果抑制を目的とした構造のシミュレーションによる評価
• 第一原理計算によるCu_2ZnSnS_4(CZTS)の結晶構造と電子構造の解析(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 第一原理計算によるCu_2ZnSnS_4(CZTS)の結晶構造と電子構造の解析(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 第一原理計算によるCu_2ZnSnS_4(CZTS)の結晶構造と電子構造の解析(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 電流DLTS法を用いたundoped 6H-SiC中の深い準位の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 電気化学堆積を用いた4H-SiCショットキー障壁高さ変化の可視化手法(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 電流DLTS法を用いたundoped 6H-SiC中の深い準位の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 電気化学堆積を用いた4H-SiCショットキー障壁高さ変化の可視化手法(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 電流DLTS法を用いたundoped 6H-SiC中の深い準位の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 電気化学堆積を用いた4H-SiCショットキー障壁高さ変化の可視化手法(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• ショットキーダイオードの容量測定によるp型GaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• 過剰キャリアライフタイム測定によるGanのプラズマエッチングダメージの解析(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• ショットキーダイオードの容量測定によるp型GaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• 過剰キャリアライフタイム測定によるGanのプラズマエッチングダメージの解析(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• ショットキーダイオードの電気的測定によるGaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 電気化学堆積法によるSnO_2薄膜の作製(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 過剰キャリアライフタイム測定によるGaNのプラズマエッチングダメージの解析とアニール効果の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• ショットキーダイオードの電気的測定によるGaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 過剰キャリアライフタイム測定によるGaNのプラズマエッチングダメージの解析とアニール効果の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• ショットキーダイオードの電気的測定によるGaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 過剰キャリアライフタイム測定によるGaNのプラズマエッチングダメージの解析とアニール効果の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• HMDSを使い成長させたSi基板上3C-SiCの深い準位の測定
• HMDSを使い成長させたSi基板上3C-SiCの深い準位の測定
• 3C-SiCの容量DLTS測定による電子トラップの捕獲断面積とエネルギー準位の評価
• 3C-SiCの容量DLTS測定による電子トラップの捕獲断面積とエネルギー準位の評価
• 非クリーン環境下におけるTEGを用いたMOSプロセスの検討
• 非クリーン環境下におけるTEGを用いたMOSプロセスの検討
• 非クリーン環境下におけるTEGを用いたMOSプロセスの検討
• 電気化学堆積法によるSnO_2薄膜の作製(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 電気化学堆積法によるSnO_2薄膜の作製(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 光化学堆積法によるセレン化物半導体の作製
• 光化学堆積法によるセレン化物半導体の作製
• 窒素レーザを用いた反射マイクロ波法による薄膜SOIの評価
• 金属/シリコン界面の再結合状態の非接触評価
• 光導電減衰法による3C-SiC/Siの評価
• イオン注入層を表面にもつSiウェーハの表面再結合状態の非接触評価
• 水素プラズマ処理をした3C-SiCの深い準位の測定
• 水素プラズマ処理をした3C-SiCの深い準位の測定
• 水素プラズマ処理をした3C-SiCの深い準位の測定
• Si基板上に成長させた3C-SiCの容量DLTS法による評価 : 室温以上の温度域であらわれる欠陥
• Si基板上に成長させた3C-SiCの容量DLTS法による評価 : 室温以上の温度域であらわれる欠陥
• Si基板上に成長させた3C-SiCの容量DLTS法による評価 : 室温以上の温度域であらわれる欠陥
• SIMOXとUNIBOND構造に対するボロンの極浅拡散
• C-12-30 ΔΣ変調を用いたパルスニューロンモデルに基づく音源定位用 LSI の設計
• KOH水溶液を用いた電気化学的手法による6H-Sicの微細加工の試み
• KOH 水溶液を用いた電気化学的手法による 6H-SiC の微細加工の試み
• 電気化学堆積法によるSnS薄膜の作製と評価
• 電気化学堆積法によるSnS薄膜の作製と評価
• 電気化学堆積法によるSnS薄膜の堆積
• 電気化学堆積法によるSnS薄膜の堆積
• 電気化学堆積法によるSnS薄膜の堆積
• C-12-32 パルスニューロンモデルに基づく音源定位LSIの設計
• パルスニューロンモデルに基づく音源定位LSIの設計
• パルスニューロンモデルに基づく音源定位LSIの設計
• C-12-2 パルスニューロンモデルに基づく音源定位システム
• C-12-1 音源定位用LSIのための音圧差と時間差抽出回路の設計
• リンとボロンの拡散シミュレーションにおけるパラメータの最適化
• リンとボロンの拡散シミュレーションにおけるパラメータの最適化
• リンとボロンの拡散シミュレーションにおけるパラメータの最適化
• 光化学堆積(PCD)法によるZnS薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 光化学堆積(PCD)法によるZnS薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 光化学堆積(PCD)法によるZnS薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク