化学溶液処理を施したSiウェハ表面の電界印加μ-PCD法による表面状態の評価(半導体Si及び関連電子材料評価)
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概要
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本研究で用いているライフタイムの測定法である反射マイクロ波光導電減衰法(μ-PCD法)は、非接触かつ高速、高感度な再結合寿命の測定法であるが、表面再結合とバルク再結合を分離して評価する事が困難であった。我々はこれまでに、試料Siウェハに対して外部電界を印加する事で、表面近傍のバンドを曲げ、表面再結合抑制した測定が可能である事を示した。今回は、通常のRCA洗浄等で用いられている化学溶液による処理を、試料ウェハに施し、外部電界を印加したμ-PCD法で測定を行った。その結果、印加電圧に対する1/eライフタイムの変化から、各処理後の表面状態を評価することができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-12-09
著者
-
市村 正也
名古屋工業大学機能工学専攻
-
荒井 英輔
名古屋工業大学大学院工学研究科
-
平野 昌志
名古屋工業大学電気情報工学科
-
高松 弘行
神戸製鋼所 電子技研
-
高松 弘行
(株)神戸製鋼所
-
住江 伸吾
名古屋工業大学電気情報工学科
-
多田 篤志
名古屋工業大学電気情報工学科
-
高松 弘行
(株) 神戸製鋼所
-
住江 信吾
(株) 神戸製鋼所
-
住江 伸吾
神戸製鋼所 プロセス技研
-
荒井 英輔
名古屋工業大学
-
市村 正也
名古屋工業大学、機能工学専攻
-
市村 正也
名古屋工業大学
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