電気化学堆積法によるSnS薄膜の堆積

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概要

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• SnSO_4とNa_2S_2O_3を含む溶液から、ネサガラス(In_2O_3)基板上に、電気化学堆積(Electrochemical deposition)法によりSnS薄膜を作製した。そして溶液の条件や堆積電圧を変化させ堆積した試料についてオージェ電子分光法、X線回析、透過率、SEMなどによる測定を行なった。その結果、多結晶SnS薄膜の堆積が確認できた。また、光の透過率をもとにバンドギャップを求めると、直接遷移のバンドギャップは約1.3eVとなった。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1999-05-21

著者

• 市村 正也

  名古屋工業大学機能工学専攻

• 荒井 英輔

  名古屋工業大学大学院工学研究科

• 小野 雄平

  名古屋工業大学 電気情報工学科

• 竹内 一喜

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 荒井 英輔

  名古屋工業大学

• 市村 正也

  名古屋工業大学、機能工学専攻

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