SIMOXとUNIBOND構造に対するボロンの極浅拡散
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概要
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ボロン(B)の拡散分布を3種の極薄SOI基板とバルクシリコンとの間で比較を行った。用いたSOI基板は低ドーズSIMOXで内部熱酸化(ITOX)処理有と処理なしおよびUNIBOND法で作製したものである。Bの拡散は窒素雰囲気で900℃で10-20分行った。拡散源はスピンオンガラスを用い、表面濃度は固溶度付近に達するような高濃度のものを用いた。その結果拡散の遅れがSOI基板で見られ、SIMOX基板の方がUNIBOND基板に比べて顕著である。その理由としてはSOI基板では酸化膜界面での点欠陥の吸収が起こり、さらにSIMOXでは活性層中での点欠陥の再結合が大きいためと考えられる。
- 2000-06-23
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