ショットキーダイオードの容量測定によるp型GaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
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概要
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GaNは大電力半導体素子への応用が期待される半導体材料であり, GaNの大電力素子を作製する上でp 型層の形成とエッチングプロセスは必要不可欠である.本研究ではp型GaNに対するプラズマエッチングの影響をショットキーダイオードの電気的測定により評価した.その手法としてDLTS測定およびフォトキャパシタンス測定を用いた.その結果, p型GaNとn型GaNのどちらにおいてもプラズマエッチングにより伝導帯から0.25eV付近のエネルギー位置に深い準位が形成されることがわかった.この準位は窒素空孔に起因するものだと考えられ, p型GaNにおいて直列抵抗を増加させると考えられる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-06-18
著者
-
加藤 正史
名古屋工業大学
-
市村 正也
名古屋工業大学機能工学専攻
-
兼近 将一
株式会社 豊田中央研究所
-
兼近 将一
豊田中央研究所
-
加地 徹
豊田中研
-
兼近 将一
豊田中研
-
石黒 修
豊田中研
-
加地 徹
豊田中央研究所
-
石黒 修
豊田中央研究所
-
加地 徹
株式会社豊田中央研究所
-
三鴨 一輝
名古屋工業大学大学院機能工学専攻
-
市村 正也
名古屋工業大学、機能工学専攻
-
市村 正也
名古屋工業大学
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