兼近 将一 | 豊田中央研究所
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概要
関連著者
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兼近 将一
株式会社 豊田中央研究所
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兼近 将一
豊田中央研究所
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兼近 将一
豊田中研
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加藤 正史
名古屋工業大学
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市村 正也
名古屋工業大学機能工学専攻
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加地 徹
豊田中研
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加地 徹
豊田中央研究所
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加地 徹
株式会社豊田中央研究所
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市村 正也
名古屋工業大学、機能工学専攻
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市村 正也
名古屋工業大学
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石黒 修
豊田中研
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石黒 修
豊田中央研究所
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三鴨 一輝
名古屋工業大学大学院機能工学専攻
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福島 圭亮
名古屋工業大学大学院
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福島 圭亮
名古屋工業大学
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荒井 英輔
名古屋工業大学大学院工学研究科
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藤島 修
豊田中央研究所
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渡辺 英樹
名古屋工業大学
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荒井 英輔
名古屋工業大学
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多賀 康訓
豊田中央研究所
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光嶋 康一
豊田中央研究所
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渡辺 行彦
豊田中央研究所
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光嶋 康一
(株)豊田中央研究所
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渡辺 行彦
(株)豊田中央研究所
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杉山 隆英
豊田中央研究所
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渡部 行彦
豊田中央研究所
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只野 博
豊田中央研究所
-
只野 博
(株)豊田中央研究所
著作論文
- リーク電流を低減したSOI-CMOS構造
- 高温動作MOSFETのデバイス構造の検討
- ICPエッチングを施したGaNのμ-PCD法による過剰キャリアライフタイム測定(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- ICPエッチングを施したGaNのμ-PCD法による過剰キャリアライフタイム測定(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- ICPエッチングを施したGaNのμ-PCD法による過剰キャリアライフタイム測定(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- ショットキーダイオードの容量測定によるp型GaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- 過剰キャリアライフタイム測定によるGanのプラズマエッチングダメージの解析(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- ショットキーダイオードの容量測定によるp型GaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- 過剰キャリアライフタイム測定によるGanのプラズマエッチングダメージの解析(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- ショットキーダイオードの電気的測定によるGaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 過剰キャリアライフタイム測定によるGaNのプラズマエッチングダメージの解析とアニール効果の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- ショットキーダイオードの電気的測定によるGaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 過剰キャリアライフタイム測定によるGaNのプラズマエッチングダメージの解析とアニール効果の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- ショットキーダイオードの電気的測定によるGaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 過剰キャリアライフタイム測定によるGaNのプラズマエッチングダメージの解析とアニール効果の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))