兼近 将一 | 株式会社 豊田中央研究所
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概要
関連著者
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兼近 将一
株式会社 豊田中央研究所
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兼近 将一
豊田中研
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加地 徹
豊田中研
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加地 徹
株式会社豊田中央研究所
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兼近 将一
豊田中央研究所
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加藤 正史
名古屋工業大学
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市村 正也
名古屋工業大学機能工学専攻
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加地 徹
豊田中央研究所
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市村 正也
名古屋工業大学、機能工学専攻
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市村 正也
名古屋工業大学
著作論文
- C-2-41 PINダイオードを用いた76GHz帯SP3TスイッチMMIC
- リーク電流を低減したSOI-CMOS構造
- SOI-CMOS OPアンプのオフセット電圧評価
- GaN縦型pnダイオードの評価
- 縦型GaNパワーデバイスの開発
- 絶縁ゲートAlGaN/GaN-HFETの縦型動作
- 高温動作MOSFETのデバイス構造の検討
- 招待講演 GaN,SiC パワーデバイスの車載応用 (シリコン材料・デバイス)
- ICPエッチングを施したGaNのμ-PCD法による過剰キャリアライフタイム測定(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- ICPエッチングを施したGaNのμ-PCD法による過剰キャリアライフタイム測定(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))