兼近 将一 | 株式会社 豊田中央研究所

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概要

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関連著者

• 兼近 将一

  株式会社 豊田中央研究所

• 兼近 将一

  豊田中研

• 加地 徹

  豊田中研

• 加地 徹

  株式会社豊田中央研究所

• 兼近 将一

  豊田中央研究所

• 加藤 正史

  名古屋工業大学

• 市村 正也

  名古屋工業大学機能工学専攻

• 加地 徹

  豊田中央研究所

• 市村 正也

  名古屋工業大学、機能工学専攻

• 市村 正也

  名古屋工業大学

• 石黒 修

  豊田中研

• 石黒 修

  豊田中央研究所

• 上杉 勉

  豊田中研

• 上杉 勉

  豊田中央研究所

• 三鴨 一輝

  名古屋工業大学大学院機能工学専攻

• 福島 圭亮

  名古屋工業大学大学院

• 福島 圭亮

  名古屋工業大学

• 荒井 英輔

  名古屋工業大学大学院工学研究科

• 藤島 修

  豊田中央研究所

• 渡辺 英樹

  名古屋工業大学

• 荒井 英輔

  名古屋工業大学

• 杉本 雅裕

  トヨタ自動車(株)

• 上田 博之

  豊田中研

• 渡辺 行彦

  豊田中央研究所

• 渡辺 行彦

  (株)豊田中央研究所

• 杉山 隆英

  豊田中央研究所

• 兼近 将一

  (株)豊田中央研究所

• 只野 博

  (株)豊田中央研究所

• 副島 成雅

  豊田中研

• 樹神 雅人

  豊田中研

• 林 栄子

  豊田中研

• 樹神 雅人

  株式会社豊田中央研究所

• 杉本 雅裕

  トヨタ自動車

• 林 宏明

  株式会社豊田中央研究所

• 臼井 正則

  (株)豊田中央研究所

• 多賀 康訓

  豊田中央研究所

• 光嶋 康一

  豊田中央研究所

• 田中 雄一

  (株)豊田中央研究所

• 田中 雄一

  株式会社 豊田中央研究所

• 臼井 正則

  株式会社 豊田中央研究所

• 林 宏明

  株式会社 豊田中央研究所

• 塚田 浩司

  株式会社 豊田中央研究所

• 光嶋 康一

  (株)豊田中央研究所

• 渡部 行彦

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• 只野 博

  豊田中央研究所

• 杉山 隆英

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• 成田 哲生

  豊田中研

• 伊藤 健治

  豊田中研

• 上杉 勉

  (株)豊田中央研究所

• 加地 徹

  (株)豊田中央研究所

• 田中 雄一

  豊田中研

• 成田 哲生

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著作論文

• C-2-41 PINダイオードを用いた76GHz帯SP3TスイッチMMIC
• リーク電流を低減したSOI-CMOS構造
• SOI-CMOS OPアンプのオフセット電圧評価
• GaN縦型pnダイオードの評価
• 縦型GaNパワーデバイスの開発
• 絶縁ゲートAlGaN/GaN-HFETの縦型動作
• 高温動作MOSFETのデバイス構造の検討
• 招待講演 GaN,SiC パワーデバイスの車載応用 (シリコン材料・デバイス)
• ICPエッチングを施したGaNのμ-PCD法による過剰キャリアライフタイム測定(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• ICPエッチングを施したGaNのμ-PCD法による過剰キャリアライフタイム測定(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• ICPエッチングを施したGaNのμ-PCD法による過剰キャリアライフタイム測定(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• ショットキーダイオードの容量測定によるp型GaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• 過剰キャリアライフタイム測定によるGanのプラズマエッチングダメージの解析(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• ショットキーダイオードの容量測定によるp型GaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• 過剰キャリアライフタイム測定によるGanのプラズマエッチングダメージの解析(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• ショットキーダイオードの電気的測定によるGaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 過剰キャリアライフタイム測定によるGaNのプラズマエッチングダメージの解析とアニール効果の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• ショットキーダイオードの電気的測定によるGaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 過剰キャリアライフタイム測定によるGaNのプラズマエッチングダメージの解析とアニール効果の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• ショットキーダイオードの電気的測定によるGaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 過剰キャリアライフタイム測定によるGaNのプラズマエッチングダメージの解析とアニール効果の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaN, SiCパワーデバイスの車載応用
• GaN, SiCパワーデバイスの車載応用(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

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