成田 哲生 | 豊田中央研究所

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著作論文

• 硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価 (レーザ・量子エレクトロニクス)
• 硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価 (電子部品・材料)
• 硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価 (電子デバイス)
• GaN縦型pnダイオードの評価
• 硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価

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