上杉 勉 | 豊田中央研究所
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概要
関連著者
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上杉 勉
豊田中央研究所
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加地 徹
豊田中研
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加地 徹
株式会社豊田中央研究所
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上杉 勉
豊田中研
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杉本 雅裕
トヨタ自動車
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杉本 雅裕
トヨタ自動車(株)
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樹神 雅人
豊田中研
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樹神 雅人
株式会社豊田中央研究所
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兼近 将一
株式会社 豊田中央研究所
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兼近 将一
豊田中研
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加地 徹
豊田中央研究所
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成田 哲生
豊田中央研究所
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上杉 勉
株式会社豊田中央研究所
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菊田 大悟
豊田中央研究所
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高橋 直子
豊田中央研究所
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片岡 恵太
豊田中央研究所
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木本 康司
豊田中央研究所
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高橋 直子
(株)豊田中央研究所 表面分析研究室
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樹神 雅人
豊田中央研究所
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上田 博之
豊田中研
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菊田 大悟
豊田中研
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副島 成雅
豊田中研
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林 栄子
豊田中研
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上杉 勉
(株)豊田中央研究所
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多賀 康訓
中部大学総合工学研究所
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多賀 康訓
豊田中央研究所
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光嶋 康一
豊田中央研究所
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光嶋 康一
(株)豊田中央研究所
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石黒 修
豊田中研
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加地 徹
(株)豊田中央研究所
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船橋 博文
豊田中央研究所
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杉山 隆英
豊田中央研究所
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兼近 将一
(株)豊田中央研究所
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成田 哲生
豊田中研
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伊藤 健治
豊田中研
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上田 博之
豊田中央研究所
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樹神 雅人
(株)豊田中央研究所
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副島 成雅
(株)豊田中央研究所
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林 栄子
(株)豊田中央研究所
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船橋 博文
(株)豊田中央研究所
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船橋 博文
豊田中央研究所 半導体デバイス・センサ研究室
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上杉 勉
(株) 豊田中央研究所
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杉山 進
(株) 豊田中央研究所
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瀧川 光治
(株) 豊田中央研究所
著作論文
- SPE法によるSOI層中の不純物拡散
- 埋込みゲートを有する縦型MOS FET
- 固相結晶成長法により作製されたlateral Power MOS FETの温度特性のデバイスパラメータ依存性
- GaN縦型pnダイオードの評価
- 縦型GaNパワーデバイスの開発
- 絶縁ゲートAlGaN/GaN-HFETの縦型動作
- 車載用ワイドバンドギャップ半導体デバイス(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- ゲート絶縁膜としてSiO_2膜を使ったMIS-AlGaN/GaN HEMTの研究
- 解説・展望 車載用パワーデバイス--低損失・高破壊耐量化技術の展望
- 硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 車載用パワーデバイスの概要とITS分野におけるパワーデバイスの役割
- SiH4-N2系プラズマCVDシリコン窒化膜の性質
- GaN, SiCパワーデバイスの車載応用
- GaN, SiCパワーデバイスの車載応用(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価
- 縦型GaNデバイスを目指したGaN基板の評価(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 縦型GaNデバイスを目指したGaN基板の評価(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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