上杉 勉 | 株式会社豊田中央研究所

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著作論文

• 固相結晶成長法により作製されたlateral Power MOS FETの温度特性のデバイスパラメータ依存性
• 車載用ワイドバンドギャップ半導体デバイス(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• 縦型GaNデバイスを目指したGaN基板の評価(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 縦型GaNデバイスを目指したGaN基板の評価(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 縦型GaNデバイスを目指したGaN基板の評価(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

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