加地 徹 | 豊田中央研究所
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
加地 徹
豊田中央研究所
-
加地 徹
豊田中研
-
加地 徹
株式会社豊田中央研究所
-
加藤 正史
名古屋工業大学
-
市村 正也
名古屋工業大学機能工学専攻
-
兼近 将一
株式会社 豊田中央研究所
-
兼近 将一
豊田中央研究所
-
兼近 将一
豊田中研
-
石黒 修
豊田中研
-
石黒 修
豊田中央研究所
-
市村 正也
名古屋工業大学、機能工学専攻
-
市村 正也
名古屋工業大学
-
上杉 勉
豊田中央研究所
-
三鴨 一輝
名古屋工業大学大学院機能工学専攻
-
福島 圭亮
名古屋工業大学大学院
-
福島 圭亮
名古屋工業大学
-
上田 博之
豊田中研
-
上田 博之
豊田中央研究所
-
菊田 大悟
豊田中央研究所
-
成田 哲生
豊田中央研究所
-
高橋 直子
豊田中央研究所
-
片岡 恵太
豊田中央研究所
-
木本 康司
豊田中央研究所
-
杉本 雅裕
トヨタ自動車
-
高橋 直子
(株)豊田中央研究所 表面分析研究室
-
杉本 雅裕
トヨタ自動車(株)
-
菊田 大悟
豊田中研
-
徳田 豊
愛知工業大学 電子工学科
-
徳田 豊
愛知工学部工学部電子工学科
-
上杉 勉
豊田中研
-
副島 成雅
豊田中研
-
荒井 英輔
名古屋工業大学大学院工学研究科
-
松岡 陽一
愛知工業大学
-
妹尾 武
愛知工業大学
-
副島 成雅
豊田中央研究所
-
徳田 豊
愛知工業大学
-
藤島 修
豊田中央研究所
-
渡辺 英樹
名古屋工業大学
-
荒井 英輔
名古屋工業大学
-
加納 浩之
豊田中央研究所
-
上杉 勉
株式会社豊田中央研究所
著作論文
- 車載用ワイドバンドギャップ半導体デバイス(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- ホモエピタキシャル成長pn GaNダイオードの電気的評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ホモエピタキシャル成長pn GaNダイオードの電気的評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ホモエピタキシャル成長pn GaNダイオードの電気的評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ICPエッチングを施したGaNのμ-PCD法による過剰キャリアライフタイム測定(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- ICPエッチングを施したGaNのμ-PCD法による過剰キャリアライフタイム測定(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- ICPエッチングを施したGaNのμ-PCD法による過剰キャリアライフタイム測定(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ショットキーダイオードの容量測定によるp型GaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- 過剰キャリアライフタイム測定によるGanのプラズマエッチングダメージの解析(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- ショットキーダイオードの容量測定によるp型GaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- 過剰キャリアライフタイム測定によるGanのプラズマエッチングダメージの解析(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- ショットキーダイオードの電気的測定によるGaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 過剰キャリアライフタイム測定によるGaNのプラズマエッチングダメージの解析とアニール効果の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- ショットキーダイオードの電気的測定によるGaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 過剰キャリアライフタイム測定によるGaNのプラズマエッチングダメージの解析とアニール効果の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- ショットキーダイオードの電気的測定によるGaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 過剰キャリアライフタイム測定によるGaNのプラズマエッチングダメージの解析とアニール効果の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- レーザアブレーション法の分子線源としての可能性
- 硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価