硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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p型GaNのエッチングダメージについて深さ方向分布、特に表面のバンド曲がりについて硬X線光電子分光(HAX-PES)法を用いて評価した。光電子の取り出し角を変化させることで異なる深さからの光電子の情報を検出し、p型GaN表面付近のバンド曲がりを解析した。その結果、ドライエッチングを施したp型GaN表面には1〜2×10^<20>cm^<-3>のドナー性欠陥が導入され、ICPドライエッチング時のバイアスパワーを大きくすることで、結晶奥深く(5〜8nm)まで欠陥が入ることが示された。
- 2010-11-04
著者
-
高橋 直子
(株)豊田中央研究所 表面分析研究室
-
上杉 勉
豊田中央研究所
-
杉本 雅裕
トヨタ自動車(株)
-
菊田 大悟
豊田中研
-
上杉 勉
豊田中研
-
加地 徹
豊田中研
-
加地 徹
豊田中央研究所
-
加地 徹
株式会社豊田中央研究所
-
菊田 大悟
豊田中央研究所
-
成田 哲生
豊田中央研究所
-
高橋 直子
豊田中央研究所
-
片岡 恵太
豊田中央研究所
-
木本 康司
豊田中央研究所
-
杉本 雅裕
トヨタ自動車
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