菊田 大悟 | 豊田中研
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概要
関連著者
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菊田 大悟
豊田中研
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大野 泰夫
徳島大学ソシオテクノサイエンス研究部
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大野 泰夫
徳島大院ソシオテクノサイエンス研究部
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敖 金平
徳島大学サテライトベンチャービジネスラボラトリ
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敖 金平
徳島大学ソシオテクノサイエンス研究部
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敖 金平
徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部
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菊田 大悟
豊田中央研究所
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成田 哲生
豊田中央研究所
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杉本 雅裕
トヨタ自動車(株)
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杉本 雅裕
トヨタ自動車
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大野 泰夫
徳島大学sts研
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高橋 直子
(株)豊田中央研究所 表面分析研究室
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上杉 勉
豊田中央研究所
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大野 泰夫
徳島大学工学部
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敖 金平
徳島大学SVBL
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菊田 大悟
徳島大学工学部電気電子工学科
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上杉 勉
豊田中研
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加地 徹
豊田中研
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加地 徹
豊田中央研究所
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加地 徹
株式会社豊田中央研究所
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高橋 直子
豊田中央研究所
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片岡 恵太
豊田中央研究所
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木本 康司
豊田中央研究所
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敖 金平
徳大SVBL
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菊田 大悟
徳大工
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大野 泰夫
徳大工
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大野 泰夫
徳島大学
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大野 泰夫
徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部
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胡 成余
徳島大学
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中谷 克俊
徳島大学
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岡田 政也
徳島大学ソシオテクサイエンス研究部
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岡田 政也
徳島大学工学部電気電子工学科
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敖 金平
徳島大学工学部電気電子工学科
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胡 成余
徳島大学ソシオテクノサイエンス研究部
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大野 泰夫
徳島大 ソシオテクノサイエンス研究部
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Okada Masaya
Dept. of Electrical and Electronic Eng., The University of Tokushima, Tokushima 770-8506, Japan
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菊田 大悟
(株)豊田中央研究所
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〓 金平
徳島大学ソシオテクノサイエンス研究部
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玉井 健太郎
徳島大学ソシオテクノサイエンス研究部
著作論文
- 硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価 (電子部品・材料)
- 硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価 (電子デバイス)
- V_T-V_特性を用いたp-GaN上のAlGaN/GaN HFETバッファ層評価
- C-10-19 AlGaN/GaN HFETパルスI-V特性シミュレーション(C-10.電子デバイス)
- Copper-Gate AlGaN/GaN HEMTs with Low Gate Leakage Current
- オープンゲートFETによるAlGaN/GaN HEMT構造の表面準位測定
- Copper-Gate AlGaN/GaN HEMTs with Low Gate Leakage Current
- オープンゲートFETによるAlGaN/GaN HEMT構造の表面準位測定
- 硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- AlGaN/GaN MISHFETチャネル電子移動度の測定 (電子デバイス)
- AlGaN/GaN MISHFETチャネル電子移動度の測定(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)