オープンゲートFETによるAlGaN/GaN HEMT構造の表面準位測定
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概要
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AlGaN/GaN HEMTのパッシベーション膜と半導体界面の特性を調べるために、チャネル上のゲート金属部を一部除外したオープンゲートFETを用いて開口部の界面特性を評価した。ソース・ドレイン間に0.1Vの電圧を印加し、ゲート電圧を0Vから-8Vまで変化させ、そのときのドレイン電流を測定した。パッシベーション膜のないFETではゲート電圧を変化させてもカットオフしないが、SiO_2膜をつけたFETでは金属ゲートがあるかのように電流が変化した。また2つのゲート電極に異なる電圧を印加すると、チャネル電流は低い電圧のゲートで規定された。これらの実験結果からSiO_2とAlGaN界面との界面準位について推定した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-10-03
著者
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大野 泰夫
徳島大学ソシオテクノサイエンス研究部
-
大野 泰夫
徳島大学sts研
-
大野 泰夫
徳島大院ソシオテクノサイエンス研究部
-
大野 泰夫
徳島大学工学部
-
敖 金平
徳島大学サテライトベンチャービジネスラボラトリ
-
敖 金平
徳島大学SVBL
-
敖 金平
徳島大学ソシオテクノサイエンス研究部
-
敖 金平
徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部
-
菊田 大悟
豊田中研
-
菊田 大悟
徳島大学工学部電気電子工学科
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