AlGaN/GaN HFET電流コラプスの回復過程解析(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
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概要
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AlGaN/GaN HFETの電流コラプス機構解析を目的として、ストレス印加後の回復過程の解析を行なった。回復過程における光照射実験から伝導帯から1.9eV〜2.6eVのトラップが負帯電していると考えられる。しかし、回復過程で観測された約270秒の時定数にはトラップからの電子放出特有の温度依存性がほとんど無かった。ここで観測した270秒程度の回復はトラップからの電子の放出ではなく、バンド間トンネルによるホール生成などの別の機構による回復と考えられる。
- 2011-11-10
著者
-
大野 泰夫
徳島大学ソシオテクノサイエンス研究部
-
敖 金平
徳島大学ソシオテクノサイエンス研究部
-
大野 泰夫
徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部
-
井川 裕介
徳島大学ソシオテクサイエンス研究部
-
井川 裕介
徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部
-
細川 大志
徳島大学ソシオテクノサイエンス研究部
-
木尾 勇介
徳島大学ソシオテクノサイエンス研究部
-
大野 泰夫
徳島大
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