デバイスの微細化限界と窒化ガリウムトランジスタ(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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概要
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トランジスタ微細化限界を決める要素の一つに、マクスウェルボルツマン分布から来る電源電圧の限界がある。その限界電圧は室温では250mV程度であり、シリコンやGaAsに作られたFETの最先端デバイスは、20年以内にその限界に達すると予測される。GaNなどのワイドバンドギャップ半導体ではアバランシェ破壊の耐圧が高いため、より短チャネル化が可能で、結果としてGaAsなどより高速、高周波のデバイスが実現できる。同時に、波長が短いためアンテナやフィルタなどの受動部品がチップの上に集積可能なサイズとなるので、ミリ波帯の送受信モジュールとして期待される。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-07
著者
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大野 泰夫
徳島大学ソシオテクノサイエンス研究部
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大野 泰夫
徳島大学工学部
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大野 泰夫
徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部
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敷金 平
徳島大学サテライトベンチャービジネスラボラトリ
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大野 泰夫
徳島大
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