化合物半導体電子デバイス開発の軌跡(ゲートスタック構造の新展開-チュートリアル講演,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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化合物半導体は、高移動度と言うことでシリコンデバイスを超える次世代デバイスと期待されてきた。実際に衛星放送受信用低雑音FET、光通信用IC、携帯電話端末用FET,HBT、基地局用パワーFETなどが実用化されたが、期待されたデジタルLSIは普及には至らなかった。現在開発はGaNなどのワイドバンドギャップ系に移っている。これらの推移の背景をデバイス物理、シリコンとの違い、応用面の変化など観点から解説する。
- 2008-06-02
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