オープンゲートAlGaN/GaN HFETの電解質溶液を介した電流制御(センサーデバイス,MEMS,一般)
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概要
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オープンゲートAlGaN/GaN HFETのゲート部を酸、アルカリなどの電解質溶液に浸け、電解質溶液に各種金属板を介して電圧を印加し、FETのドレイン電流を測定した。溶液を介しても通常のFET動作をするが、しきい値電圧は溶液のpH値や電気電極金属により変化した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-07-23
著者
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大野 泰夫
徳島大学ソシオテクノサイエンス研究部
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大野 泰夫
徳島大学sts研
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大野 泰夫
徳島大院ソシオテクノサイエンス研究部
-
野崎 兼史
徳島大院ソシオテクノサイエンス研究部
-
高橋 義也
徳島大院ソシオテクノサイエンス研究部
-
敖 金平
徳島大院ソシオテクノサイエンス研究部
-
敖 金平
徳島大学サテライトベンチャービジネスラボラトリ
-
敖 金平
徳島大学ソシオテクノサイエンス研究部
-
敖 金平
徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部
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