C-10-9 2次元デバイスシミュレーションによるAlGaN/GaN HEMTの高周波特性予測
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-03-07
著者
-
大野 泰夫
徳島大学ソシオテクノサイエンス研究部
-
大野 泰夫
徳島大院ソシオテクノサイエンス研究部
-
大野 泰夫
徳島大学工学部
-
敖 金平
徳島大学サテライトベンチャービジネスラボラトリ
-
河上 佳史
旭化成中央技術研究所
-
久世 直洋
旭化成中央技術研究所
-
敖 金平
徳島大学SVBL
-
敖 金平
徳島大学ソシオテクノサイエンス研究部
-
河上 佳史
旭化成株式会社 研究開発センター
-
敖 金平
徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部
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