大野 泰夫 | 徳島大学工学部

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概要

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• 同名の論文著者
• 徳島大学工学部の論文著者

関連著者

• 大野 泰夫

  徳島大学ソシオテクノサイエンス研究部

• 大野 泰夫

  徳島大学工学部

• 大野 泰夫

  徳島大院ソシオテクノサイエンス研究部

• 敖 金平

  徳島大学サテライトベンチャービジネスラボラトリ

• 敖 金平

  徳島大学ソシオテクノサイエンス研究部

• 敖 金平

  徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部

• 敖 金平

  徳島大学SVBL

• 菊田 大悟

  豊田中研

• 菊田 大悟

  徳島大学工学部電気電子工学科

• 大野 泰夫

  徳島大学sts研

• 河上 佳史

  旭化成中央技術研究所

• 久世 直洋

  旭化成中央技術研究所

• 河上 佳史

  旭化成株式会社 研究開発センター

• 大野 泰夫

  徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部

• 岡田 政也

  徳島大学ソシオテクサイエンス研究部

• 岡田 政也

  徳島大学工学部電気電子工学科

• 敖 金平

  徳島大学工学部電気電子工学科

• 敷金 平

  徳島大学サテライトベンチャービジネスラボラトリ

• 大野 泰夫

  徳島大

• Okada Masaya

  Dept. of Electrical and Electronic Eng., The University of Tokushima, Tokushima 770-8506, Japan

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著作論文

• デバイスの微細化限界と窒化ガリウムトランジスタ(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• C-10-9 2次元デバイスシミュレーションによるAlGaN/GaN HEMTの高周波特性予測
• C-10-19 AlGaN/GaN HFETパルスI-V特性シミュレーション(C-10.電子デバイス)
• オープンゲートFETによるAlGaN/GaN HEMT構造の表面準位測定
• オープンゲートFETによるAlGaN/GaN HEMT構造の表面準位測定
• デバイスの微細化限界と窒化ガリウムトランジスタ(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• 窒化ガリウム電子デバイスの研究開発

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