大野 泰夫 | 徳島大院ソシオテクノサイエンス研究部
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概要
関連著者
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大野 泰夫
徳島大学ソシオテクノサイエンス研究部
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大野 泰夫
徳島大院ソシオテクノサイエンス研究部
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敖 金平
徳島大学サテライトベンチャービジネスラボラトリ
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敖 金平
徳島大学ソシオテクノサイエンス研究部
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敖 金平
徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部
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大野 泰夫
徳島大学sts研
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大野 泰夫
徳島大学工学部
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菊田 大悟
豊田中研
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敖 金平
徳島大学SVBL
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岡田 政也
徳島大学ソシオテクサイエンス研究部
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菊田 大悟
徳島大学工学部電気電子工学科
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Okada Masaya
Dept. of Electrical and Electronic Eng., The University of Tokushima, Tokushima 770-8506, Japan
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大野 泰夫
徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部
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河合 弘治
株式会社パウデック
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敖 金平
徳大SVBL
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菊田 大悟
徳大工
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大野 泰夫
徳大工
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胡 成余
徳島大学ソシオテクノサイエンス研究部
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篠原 真毅
京都大学生存圏研究所
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杉本 雅裕
トヨタ自動車(株)
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大野 泰夫
徳島大学
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野崎 兼史
徳島大院ソシオテクノサイエンス研究部
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高橋 義也
徳島大院ソシオテクノサイエンス研究部
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敖 金平
徳島大院ソシオテクノサイエンス研究部
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河上 佳史
旭化成中央技術研究所
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久世 直洋
旭化成中央技術研究所
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河上 佳史
旭化成株式会社 研究開発センター
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丹羽 直幹
鹿島建設株式会社技術研究所
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胡 成余
徳島大学
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中谷 克俊
徳島大学
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伊藤 秀起
徳島大学ソシオテクサイエンス研究部
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高橋 健介
徳島大学ソシオテクサイエンス研究部
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原内 貴司
徳島大学ソシオテクサイエンス研究部
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井川 裕介
徳島大学ソシオテクサイエンス研究部
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胡 成余
徳島大学ソシオテクサイエンス研究部
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敷 金平
徳島大学ソシオテクサイエンス研究部
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河合 弘治
(株)パウデック
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丹羽 直幹
鹿島建設(株)技術研究所
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岡田 政也
徳島大学大学院工学研究科
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国貞 雅也
徳島大学工学部
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岡田 政也
徳島大学工学部電気電子工学科
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敖 金平
徳島大学工学部電気電子工学科
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井川 裕介
徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部
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高橋 健介
徳島大学ソシオテクノサイエンス研究部
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丹羽 直幹
鹿島建設 技研
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杉本 雅裕
トヨタ自動車
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大野 泰夫
徳島大 ソシオテクノサイエンス研究部
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篠原 真毅
京都大学生存圈研究所
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丹羽 直幹
鹿島建設(株)小堀研究室
著作論文
- オープンゲートAlGaN/GaN HFETの電解質溶液を介した電流制御(センサーデバイス,MEMS,一般)
- デバイスの微細化限界と窒化ガリウムトランジスタ(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- C-10-9 2次元デバイスシミュレーションによるAlGaN/GaN HEMTの高周波特性予測
- V_T-V_特性を用いたp-GaN上のAlGaN/GaN HFETバッファ層評価
- C-10-13 マイクロ波整流用GaNショットキーダイオードの特性評価(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- C-10-10 GaN/AlGaN/GaNフォトトランジスタを用いたUVセンサ回路(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-19 AlGaN/GaN HFETパルスI-V特性シミュレーション(C-10.電子デバイス)
- Copper-Gate AlGaN/GaN HEMTs with Low Gate Leakage Current
- オープンゲートFETによるAlGaN/GaN HEMT構造の表面準位測定
- Copper-Gate AlGaN/GaN HEMTs with Low Gate Leakage Current
- オープンゲートFETによるAlGaN/GaN HEMT構造の表面準位測定
- 窒化ガリウム電子デバイスの研究開発