C-10-19 AlGaN/GaN HFETパルスI-V特性シミュレーション(C-10.電子デバイス)

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概要

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• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2004-03-08

著者

• 大野 泰夫

  徳島大学ソシオテクノサイエンス研究部

• 大野 泰夫

  徳島大学sts研

• 大野 泰夫

  徳島大院ソシオテクノサイエンス研究部

• 大野 泰夫

  徳島大学工学部

• 敖 金平

  徳島大学サテライトベンチャービジネスラボラトリ

• 敖 金平

  徳島大学ソシオテクノサイエンス研究部

• 敖 金平

  徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部

• 菊田 大悟

  豊田中研

• 岡田 政也

  徳島大学ソシオテクサイエンス研究部

• 岡田 政也

  徳島大学工学部電気電子工学科

• 菊田 大悟

  徳島大学工学部電気電子工学科

• 敖 金平

  徳島大学工学部電気電子工学科

• Okada Masaya

  Dept. of Electrical and Electronic Eng., The University of Tokushima, Tokushima 770-8506, Japan

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