AlGaN/GaN HFETサイドゲート効果の2次元デバイスシミュレーション(一般講演,パワーデバイス及び超高周波デバイス/マイクロ波一般)
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概要
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厚いGaN層エピを用いることでAlGaN/GaN HFETにおいてサイドゲート効果が観測され、電流低下が半分程度回復する"半回復"や、正バイアスでのサイドゲート効果で回復過程で電流が減少する、などGaAsデバイスでは見られなかった現象が観測されている。これらについて、ドリフト拡散モデルとトラップに対するShockley-Read-Hall(SRH)モデルを用いた2次元デバイスシミュレーションを行いてDC特性、過渡応答特性、温度依存性などを解析し、実験と一致する結果が得られた。
- 2014-01-09
著者
-
敖 金平
徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部
-
井川 裕介
徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部
-
李 根三
日本シノプシス合同会社技術本部シリコンエンジニアリンググループ
-
大野 泰夫
株式会社eデバイス
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