AlGaN/GaN MISHFETチャネル電子移動度の測定(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
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概要
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AlGaN/GaN MISHFETでは電子は酸化膜/AlGaNのMOS界面またはAlGaN/GaN界面を電子が流れる。また、エンハンスメント動作を目的とするためしきい値制御のリセスエッチングを用いることが多く、電子移動度が影響を受ける懸念がある。そこで、ゲート容量と相互コンダクタンス(Gm)を測定することでチャネルの電界効果移動度を測定した。電子移動度はゲートバイアスで変化するが、チャネル垂直方向電界に対する依存性で見るとリセスエッチングをしないMISHFETでの移動度は同一基板上のHFETと全く同じであった。しかし、リセスエッチングをした試料では移動度の低下が見られた。
- 2012-07-19
著者
-
杉本 雅裕
トヨタ自動車(株)
-
大野 泰夫
徳島大学ソシオテクノサイエンス研究部
-
菊田 大悟
豊田中研
-
杉本 雅裕
トヨタ自動車
-
菊田 大悟
(株)豊田中央研究所
-
〓 金平
徳島大学ソシオテクノサイエンス研究部
-
玉井 健太郎
徳島大学ソシオテクノサイエンス研究部
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