絶縁ゲートAlGaN/GaN-HFETの縦型動作
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2006-11-28
著者
-
上杉 勉
豊田中央研究所
-
兼近 将一
株式会社 豊田中央研究所
-
杉本 雅裕
トヨタ自動車(株)
-
上田 博之
豊田中研
-
上杉 勉
豊田中研
-
加地 徹
豊田中研
-
兼近 将一
豊田中研
-
副島 成雅
豊田中研
-
石黒 修
豊田中研
-
樹神 雅人
豊田中研
-
林 栄子
豊田中研
-
樹神 雅人
株式会社豊田中央研究所
-
加地 徹
株式会社豊田中央研究所
-
杉本 雅裕
トヨタ自動車
関連論文
- SPE法によるSOI層中の不純物拡散
- 埋込みゲートを有する縦型MOS FET
- SPE法によるSOI層の熱酸化膜の評価
- C-2-41 PINダイオードを用いた76GHz帯SP3TスイッチMMIC
- 単結晶シリコン振動子の疲労寿命予測
- V_T-V_特性を用いたp-GaN上のAlGaN/GaN HFETバッファ層評価
- 固相結晶成長法により作製されたlateral Power MOS FETの温度特性のデバイスパラメータ依存性
- リーク電流を低減したSOI-CMOS構造
- SOI-CMOS OPアンプのオフセット電圧評価
- GaN縦型pnダイオードの評価
- 縦型GaNパワーデバイスの開発
- 絶縁ゲートAlGaN/GaN-HFETの縦型動作
- 車載用ワイドバンドギャップ半導体デバイス(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- ゲート絶縁膜としてSiO_2膜を使ったMIS-AlGaN/GaN HEMTの研究
- 非線形マイクロ振動子に働く粘性効果の測定
- これからの自動車用半導体
- 解説・展望 車載用パワーデバイス--低損失・高破壊耐量化技術の展望
- SiH_4を用いた清浄表面形成法によるSPE技術とSOI層の評価
- 電圧ランプ法により求めた破壊電圧からのゲート酸化膜寿命予測
- 電圧ランプ法により求めた破壊電圧からゲート酸化膜寿命予測
- 電圧ランプ法により求めた破壊電圧からのゲート酸化膜寿命予測
- 高温動作MOSFETのデバイス構造の検討
- ホモエピタキシャル成長pn GaNダイオードの電気的評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ホモエピタキシャル成長pn GaNダイオードの電気的評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ホモエピタキシャル成長pn GaNダイオードの電気的評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 6a-ZB-2 レーザー蒸着によるas-deposited YBa_2Cu_3O_x薄膜の酸素量
- 招待講演 GaN,SiC パワーデバイスの車載応用 (シリコン材料・デバイス)
- ICPエッチングを施したGaNのμ-PCD法による過剰キャリアライフタイム測定(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- ICPエッチングを施したGaNのμ-PCD法による過剰キャリアライフタイム測定(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- ICPエッチングを施したGaNのμ-PCD法による過剰キャリアライフタイム測定(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- シボ(皺)面光沢測定法の検討
- ショットキーダイオードの容量測定によるp型GaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- 過剰キャリアライフタイム測定によるGanのプラズマエッチングダメージの解析(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- ショットキーダイオードの容量測定によるp型GaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- 過剰キャリアライフタイム測定によるGanのプラズマエッチングダメージの解析(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- ショットキーダイオードの電気的測定によるGaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 過剰キャリアライフタイム測定によるGaNのプラズマエッチングダメージの解析とアニール効果の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- ショットキーダイオードの電気的測定によるGaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 過剰キャリアライフタイム測定によるGaNのプラズマエッチングダメージの解析とアニール効果の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- ショットキーダイオードの電気的測定によるGaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 過剰キャリアライフタイム測定によるGaNのプラズマエッチングダメージの解析とアニール効果の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 車載用パワーデバイスの概要とITS分野におけるパワーデバイスの役割
- レーザアブレーション法の分子線源としての可能性
- GaN縦型パワーデバイの最近の進展
- GaN縦型パワーデバイの最近の進展(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)
- SiH4-N2系プラズマCVDシリコン窒化膜の性質
- GaN, SiCパワーデバイスの車載応用
- GaN, SiCパワーデバイスの車載応用(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価
- CS-9-5 GaNパワーデバイスの車への応用(CS-9.実用化が進むGaNデバイスの現状と展望,シンポジウム)
- パワーエレクトロニクスの基礎 : GaNパワーデバイス技術
- 縦型GaNデバイスを目指したGaN基板の評価 (電子デバイス)
- 縦型GaNデバイスを目指したGaN基板の評価 (電子部品・材料)
- 縦型GaNデバイスを目指したGaN基板の評価 (シリコン材料・デバイス)
- ワイドギャップ半導体パワーデバイスの自動車応用
- 縦型GaNデバイスを目指したGaN基板の評価(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 縦型GaNデバイスを目指したGaN基板の評価(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 縦型GaNデバイスを目指したGaN基板の評価(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaN/GaN MISHFETチャネル電子移動度の測定(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)