埋込みゲートを有する縦型MOS FET
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概要
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我々は, 通常Si LSIプロセスで使用される減圧CVD装置を使用したSPE法について検討を行っている. 本方法を応用した, 独自構造の縦型MOS FETを考案した. 本デバイスは縦型Power MOS FETを想定しており, 埋込みゲートを有することが特徴である. 埋込みゲートを通常ゲートと同期駆動させることにより, ドレーン電流は増加する. これは, 埋込みゲートにより形成されたチャネルによる効果と, 埋込みゲート下の低濃度n領域に蓄積層が形成され, これに向かって均一にドレーン電流が流れる効果による. また, 同一Si基板上に縦型MOS FETと同時に作製したLateral SOI MOS FETを評価した. これはIntelligent Power MOSの回路部を構成する素子を目的とするものである. n MOS, p MOSともMOS動作が確認され, off時リーク電流は2×10^<-12>A以下であった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-05-25
著者
-
多賀 康訓
中部大学総合工学研究所
-
多賀 康訓
豊田中央研究所
-
樹神 雅人
豊田中央研究所
-
上杉 勉
豊田中央研究所
-
光嶋 康一
豊田中央研究所
-
光嶋 康一
(株)豊田中央研究所
-
上杉 勉
豊田中研
-
樹神 雅人
豊田中研
-
樹神 雅人
株式会社豊田中央研究所
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