車載用パワーデバイスの概要とITS分野におけるパワーデバイスの役割
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
SPE法によるSOI層中の不純物拡散
-
埋込みゲートを有する縦型MOS FET
-
固相結晶成長法により作製されたlateral Power MOS FETの温度特性のデバイスパラメータ依存性
-
GaN縦型pnダイオードの評価
-
縦型GaNパワーデバイスの開発
-
絶縁ゲートAlGaN/GaN-HFETの縦型動作
-
車載用ワイドバンドギャップ半導体デバイス(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
-
ゲート絶縁膜としてSiO_2膜を使ったMIS-AlGaN/GaN HEMTの研究
-
解説・展望 車載用パワーデバイス--低損失・高破壊耐量化技術の展望
-
招待講演 GaN,SiC パワーデバイスの車載応用 (シリコン材料・デバイス)
-
硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
-
硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
-
硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
-
車載用パワーデバイスの概要とITS分野におけるパワーデバイスの役割
-
SiH4-N2系プラズマCVDシリコン窒化膜の性質
-
GaN, SiCパワーデバイスの車載応用
-
GaN, SiCパワーデバイスの車載応用(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
-
硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価
-
縦型GaNデバイスを目指したGaN基板の評価(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
縦型GaNデバイスを目指したGaN基板の評価(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
縦型GaNデバイスを目指したGaN基板の評価(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク