SiH<SUB>4</SUB>-N<SUB>2</SUB>系プラズマCVDシリコン窒化膜の性質
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概要
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Recently, plasma-CVD silicon nitride has been used for LSI passivation films. In this study, to deposit SiN films by the plasma-CVD method, SiH<SUB>4</SUB> and N<SUB>2</SUB> are used as reactant gases. The correlations between SiH<SUB>4</SUB>/N<SUB>2</SUB> gas ratio and properties of SiN films were investigated. When SiH<SUB>4</SUB>/N<SUB>2</SUB> gas ratio is varied in a range from 1.0% to 2.5%, the properties of SiN films are varied as follows; deposition rate 200-350 Å/min. refractive index 1.77-2.15, Si/N ratio 0.5-2.0. When SiH<SUB>4</SUB>/N<SUB>2</SUB> gas ratio becomes smaller, the oxygen content is remarkably increased, and some properties of SiN as passivation films deteriorate with the oxygen content in the films. The optimum SiH<SUB>4</SUB>/N<SUB>2</SUB> gas ratio in this study was 2.0%, at which the buffered HF etch rate was the minimum value of 60 Å/min., the electric field strength at the step region was the maximum value of 4.8 MV/cm and the Na<SUP>+</SUP> blocking effect was the strongest.
- 日本真空協会の論文
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