縦型GaNデバイスを目指したGaN基板の評価(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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概要
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10^5〜10^6cm^<-2>の転位密度を有するGaN基板にpnダイオード,ショットキーダイオードを作製し,基板上下方向の電流リークと貫通転位の関係を評価した.その結果,刃状転位および刃状と螺旋の混合転位はリークパスとならないことを確認した.
- 2012-05-10
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