6a-ZB-2 レーザー蒸着によるas-deposited YBa_2Cu_3O_x薄膜の酸素量
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
4a-L-2 50-200keV H^+ビームにたいするエネルギストラグリング
-
レ-ザ-蒸着によるYBa2Cu3Ox高温超伝導薄膜
-
GaN縦型pnダイオードの評価
-
縦型GaNパワーデバイスの開発
-
絶縁ゲートAlGaN/GaN-HFETの縦型動作
-
車載用ワイドバンドギャップ半導体デバイス(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
-
ゲート絶縁膜としてSiO_2膜を使ったMIS-AlGaN/GaN HEMTの研究
-
イオン注入法 (不均質性に挑む)
-
Ba2YCu3Oy焼結体の臨界電流密度とマイスナ-効果 (酸化物超伝導体)
-
28p-E-12 イオンビームミキシングによるMnAl強磁性層の形成
-
ホモエピタキシャル成長pn GaNダイオードの電気的評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
-
ホモエピタキシャル成長pn GaNダイオードの電気的評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
-
ホモエピタキシャル成長pn GaNダイオードの電気的評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
-
6a-ZB-2 レーザー蒸着によるas-deposited YBa_2Cu_3O_x薄膜の酸素量
-
ICPエッチングを施したGaNのμ-PCD法による過剰キャリアライフタイム測定(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
-
ICPエッチングを施したGaNのμ-PCD法による過剰キャリアライフタイム測定(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
-
ICPエッチングを施したGaNのμ-PCD法による過剰キャリアライフタイム測定(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
-
硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
-
硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
-
硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
-
ピストン挙動の解析 : 第1報,ピストン横方向加速度の計測
-
シボ(皺)面光沢測定法の検討
-
ショットキーダイオードの容量測定によるp型GaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
-
過剰キャリアライフタイム測定によるGanのプラズマエッチングダメージの解析(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
-
ショットキーダイオードの容量測定によるp型GaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
-
過剰キャリアライフタイム測定によるGanのプラズマエッチングダメージの解析(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
-
ショットキーダイオードの電気的測定によるGaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
過剰キャリアライフタイム測定によるGaNのプラズマエッチングダメージの解析とアニール効果の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
ショットキーダイオードの電気的測定によるGaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
過剰キャリアライフタイム測定によるGaNのプラズマエッチングダメージの解析とアニール効果の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
ショットキーダイオードの電気的測定によるGaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
過剰キャリアライフタイム測定によるGaNのプラズマエッチングダメージの解析とアニール効果の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
27p-Z-13 モンテカルロシミュレーションの固体内衝突カスケードへの適用
-
金属の研磨面における溶質原子の挙動 : 格子欠陥
-
レーザアブレーション法の分子線源としての可能性
-
GaN縦型パワーデバイの最近の進展
-
GaN縦型パワーデバイの最近の進展(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)
-
多層膜法による薄膜中のBi2(Sr,Ca)n+1CunOx相(n=1-3) (酸化物系超伝導物質と材料) -- (昭和63年度秋季大会講演特集)
-
中性子ラジオグラフィ-の原理と応用 (試験・計測)
-
GaN, SiCパワーデバイスの車載応用
-
多層膜法による薄膜中のBi2(Sr,Ca)n+1CunOx相(n=0-3)
-
Ba2YCu3Oy焼結体の臨界電流密度とマイスナー効果
-
GaN, SiCパワーデバイスの車載応用(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
-
CS-9-5 GaNパワーデバイスの車への応用(CS-9.実用化が進むGaNデバイスの現状と展望,シンポジウム)
-
パワーエレクトロニクスの基礎 : GaNパワーデバイス技術
-
薄層放射化法の自動車部品などの摩耗・腐食測定への応用
-
自動車のトライボロジ-への放射線利用 (自動車のトライボロジ-展望)
-
薄層放射化法によるエンジン摩耗計測
-
エンジンの潤滑油消費機構の研究-3-ピストンからの油の飛散
-
縦型GaNデバイスを目指したGaN基板の評価 (電子デバイス)
-
縦型GaNデバイスを目指したGaN基板の評価 (電子部品・材料)
-
縦型GaNデバイスを目指したGaN基板の評価 (シリコン材料・デバイス)
-
ワイドギャップ半導体パワーデバイスの自動車応用
-
縦型GaNデバイスを目指したGaN基板の評価(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
縦型GaNデバイスを目指したGaN基板の評価(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
縦型GaNデバイスを目指したGaN基板の評価(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
3a-PS-54 (Y,R)Ba_2Cu_3O_(R=La,Lu)の超伝導特性(低温(酸化物超伝導体))
-
1a-A5-8 共鳴核反応利用によるエネルギストラグリング測定(1a A5 放射線物理)
-
30a-CH-12 高速H^+のエネルギ・ストラグリング : エネルギ, Z_2依存性(放射線物理,第41回年会)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク