縦型GaNデバイスを目指したGaN基板の評価 (シリコン材料・デバイス)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2012-05-17

著者

• 加地 徹

  豊田中研

• 加地 徹

  株式会社豊田中央研究所

関連論文

• GaN縦型pnダイオードの評価
• 縦型GaNパワーデバイスの開発
• 絶縁ゲートAlGaN/GaN-HFETの縦型動作
• 車載用ワイドバンドギャップ半導体デバイス(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• ゲート絶縁膜としてSiO_2膜を使ったMIS-AlGaN/GaN HEMTの研究
• ホモエピタキシャル成長pn GaNダイオードの電気的評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• ホモエピタキシャル成長pn GaNダイオードの電気的評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• ホモエピタキシャル成長pn GaNダイオードの電気的評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 6a-ZB-2 レーザー蒸着によるas-deposited YBa_2Cu_3O_x薄膜の酸素量
• ICPエッチングを施したGaNのμ-PCD法による過剰キャリアライフタイム測定(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• ICPエッチングを施したGaNのμ-PCD法による過剰キャリアライフタイム測定(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• ICPエッチングを施したGaNのμ-PCD法による過剰キャリアライフタイム測定(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 硬X線光電子分光法によるp型GaNのドライエッチングダメージ評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• シボ(皺)面光沢測定法の検討
• ショットキーダイオードの容量測定によるp型GaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• 過剰キャリアライフタイム測定によるGanのプラズマエッチングダメージの解析(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• ショットキーダイオードの容量測定によるp型GaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• 過剰キャリアライフタイム測定によるGanのプラズマエッチングダメージの解析(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• ショットキーダイオードの電気的測定によるGaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 過剰キャリアライフタイム測定によるGaNのプラズマエッチングダメージの解析とアニール効果の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• ショットキーダイオードの電気的測定によるGaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 過剰キャリアライフタイム測定によるGaNのプラズマエッチングダメージの解析とアニール効果の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• ショットキーダイオードの電気的測定によるGaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 過剰キャリアライフタイム測定によるGaNのプラズマエッチングダメージの解析とアニール効果の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• レーザアブレーション法の分子線源としての可能性
• GaN縦型パワーデバイの最近の進展
• GaN縦型パワーデバイの最近の進展(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)
• GaN, SiCパワーデバイスの車載応用
• GaN, SiCパワーデバイスの車載応用(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• CS-9-5 GaNパワーデバイスの車への応用(CS-9.実用化が進むGaNデバイスの現状と展望,シンポジウム)
• パワーエレクトロニクスの基礎 : GaNパワーデバイス技術
• 縦型GaNデバイスを目指したGaN基板の評価 (電子デバイス)
• 縦型GaNデバイスを目指したGaN基板の評価 (電子部品・材料)
• 縦型GaNデバイスを目指したGaN基板の評価 (シリコン材料・デバイス)
• ワイドギャップ半導体パワーデバイスの自動車応用
• 縦型GaNデバイスを目指したGaN基板の評価(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 縦型GaNデバイスを目指したGaN基板の評価(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 縦型GaNデバイスを目指したGaN基板の評価(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク