固相結晶成長法により作製されたlateral Power MOS FETの温度特性のデバイスパラメータ依存性
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概要
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Solid Phase Epitaxy法を用いて作製した, チャネル下部に埋込みゲートを有し, トレンチゲート/ドレーンを有する横型Power MOS FETについて, 温度特性のデバイスパラメータ依存性を評価した. デバイスパラメータはゲート長とn-ドリフト長に注目した. しきい値の温度変化率はゲート長に依存し, ゲート長が長くなるに従い増加する傾向にある. しかし, n-ドリフト長には依存していない. また規格化オン抵抗の温度変化率はn-ドリフト長に依存し, n-ドリフト長が長くなるに従い増加する傾向にある. しかし, ゲート長には依存していなかった. このことから, デバイスサイズが小さくなればデバイス特性の温度変動は少なくなる方向にあるといえる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-06-25
著者
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