SiH_4を用いた清浄表面形成法によるSPE技術とSOI層の評価
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概要
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通常Si LSIプロセスで使用される,ロードロック室を有しない低真空の減圧CVD装置を使用してSPEを行う方法を新たに考案した.これはシード形成後のSi基板をSiH_4ガス雰囲気中で昇温する方法であり,本方法により4μmのL-SPE距離を得た.SPEができる理由は,HF dipによって清浄となったシード表面が,SiH_4ガスにより維持されているためと考えられる.次に,本方法で形成したSOI層の品質を評価するためMOSFETとPNダイオードを試作した.MOSFETは正常なトランジスタ動作をし,その品質はMOSFETの作製には問題のないレベルであることを確認した.しかし,PNダイオードの順方向特性のn値は1.156でありSi基板(1.050)と比較して再結合中心が多いことがわかった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-10-25
著者
-
多賀 康訓
中部大学総合工学研究所
-
多賀 康訓
豊田中央研究所
-
樹神 雅人
豊田中央研究所
-
船橋 博文
豊田中央研究所
-
光嶋 康一
豊田中央研究所
-
光嶋 康一
(株)豊田中央研究所
-
樹神 雅人
豊田中研
-
樹神 雅人
株式会社豊田中央研究所
-
船橋 博文
(株)豊田中央研究所
-
船橋 博文
豊田中央研究所 半導体デバイス・センサ研究室
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